本實驗室持續招收碩博士新生與專題生，若對半導體元件、射頻電路設計相關研究有興趣者，歡迎來信詢問，提前加入半導體元件於高頻應用之行列。
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​If you are interested in semiconductor device or RF circuit design for millimeter-wave applications, feel free to contact and join us!

Research

Advanced Device

隨著科技的發展，摩爾定律在維持其效率的前提下，製程的複雜度與困難度愈發提升，為了延續摩爾定律以提升元件性能及電路表現，在晶圓製造與電路設計的階段加入新的概念是頂尖半導體產業必經之路。然而，製程實驗所耗費的時間與成本隨著製程複雜程度提升而變高，利用電腦軟體進行模擬是兼具時間與費用成本之節省最佳考量。

Sentaurus TCAD的核心概念是以牛頓迭代法對適當的偏微分方程式求解，藉由設定不同的邊界條件，加入合適的物理模型以模擬半導體元件的製程結果、電性表現，對於未來晶圓製造、電路設計乃至於半導體產業極具應用價值。本實驗室運用TCAD模擬軟體進行先進元件架構之各項研究。

先備知識：
​半導體元件物理、近代物理、電子學

Circuit Systems

RF front-end circuits at Ka-band and above

本實驗室致力於射頻前端電路系統之開發，包含了功率放大器、低雜訊放大器、切換器...等電路之實現。
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透過使用相關模擬軟體進行完整的電路設計，並於設計完成後結合本實驗室之PCB製程技術或透過製程廠商進行電路實作，並於完成後進行量測以驗證其電路特性。

先備知識：
​電子學、電路學、電磁學

T/R Module for 5G and beyond

伴隨著毫米波段操作頻率而來之最大挑戰有二大方面，其一為電波傳播之損耗導致傳輸距離之限制；其二則為在毫米波段採用正交頻分多工技術(OFDM)相關波形最大的缺點是頻帶外頻譜響應過高，因此操作頻帶與頻帶之間必須留有足夠之間隔來降低頻帶間的交互干擾，也因此降低了頻譜使用效率。​
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射頻前端收發器模組之技術在現今通訊系統受到相當程度之重視，如波束成型(Beamforming)、巨量天線(Massive MIMO)、主動陣列天線(Active Phase Array)等。隨著技術的系統化及複雜化，收發器模組整合須達成更高規格的挑戰。藉由本實驗室之電路系統設計與整合能力，進一步達成符合次世代通訊系統需求之收發器模組。

High power SSPA module

隨著毫米波段通訊系統應用的普及，具高線性度且高輸出功率的功率放大器模組需求也逐漸提升。藉由本實驗室的元件封裝、電路設計等技術，針對不同輸出功率之放大器模組開發，成功實現應用於5G基地台之功率放大器模組。

Projects

執行中計畫

• 運用氮化鋁中介板實現毫米波段波束切換天線模組之系統封裝開發

• 適用於未來6G應用之高效能元件開發與電路技術研究(科技部)

• 科技部產學大聯盟-未來社會(2025-2035)鼎極節能半導體技術(科技部)

• 毫米波段氮化鎵本質線性電晶體開發研究(科技部)

• 以半導體製程於氮化鋁基材上實現毫米波相列天線次系統之技術開發 (科技部, Collaboration with Ferdinand Braun Institute, Berlin)

• GaN HEMT 超高頻元件之關鍵技術開發(工研院)

歷年計畫

• ​​​三維通信網路技術及其在智慧校園之應用(2016-2020)
• 價創計畫：次世代氮化鎵高頻高功率通訊關鍵組件產業應用計畫(2017-2019)
• 實現空域與角域多工分集之多波束陣列天線及其動態應用
• 毫米波頻段氮化鎵高功率元件最佳化設計研究及其電路實現驗證
• 應用於5G通訊系統射頻前端之氮化鎵關鍵零組件開發
• 發展最高截止頻率大於200 GHz之功率氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體元件